[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：

在图形化蓝宝石衬底PSS上依次生长低温缓冲层、第一三维层；

在第一设定条件下，在所述第一三维层上生长第一二维层；

在第二设定条件下，在所述第一二维层上生长第二三维层；

在所述第二三维层上生长第二二维层；

其中，所述第一三维层和所述第二三维层为三维岛状的Ⅲ族氮化物层，所述第一二维层和所述第二二维层为平面状的Ⅲ族氮化物层；

其特征在于，所述第一设定条件和所述第二设定条件满足如下关系中的一种或多种：

所述第二设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低50-200℃；

所述第二设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低10-50℃，所述第二设定条件中的生长压力比所述第一设定条件中的生长压力高，且所述第二设定条件中的生长压力大于或等于200torr；

所述第二设定条件中的生长压力比所述第一设定条件中的生长压力高，且所述第二设定条件中的生长压力大于或等于300torr；

所述第二设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低至少10℃，所述第二设定条件中的Ⅴ/Ⅲ比比所述第一设定条件中的Ⅴ/Ⅲ比低，且所述第二设定条件中的Ⅴ/Ⅲ比大于200。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物层中的Ⅲ族氮化物为BN、AlN、GaN、InN、TlN中任一种，或者BN、AlN、GaN、InN、TlN中至少两种的二元或多元合晶。

3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一三维层和所述第一二维层的总厚度小于所述PSS凸出部分与所述PSS凹陷部分之间的距离。

4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，在所述在第二条件下，在所述第一二维层上生长第二三维层之前，所述生长方法还包括：

在第三设定条件下，在所述第一二维层上生长三维诱导层；

其中，所述第三设定条件与所述第一设定条件满足如下关系中的一种或多种：

所述第三设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度高至少10℃；

所述第三设定条件中的生长压力比所述第一设定条件中的生长压力高，且所述第三设定条件中的生长压力大于或等于500torr；

所述第三设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低至少150℃。

5.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述生长方法还包括：

在所述第二二维层上进行至少一次所述第二三维层和所述第二二维层的生长；

其中，每次进行所述第二三维层和所述第二二维层的生长，包括：

在所述第二设定条件下，在所述第二二维层上再次生长所述第二三维层；

在再次生长的所述第二三维层上再次生长所述第二二维层。

6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，每次进行所述第二三维层和所述第二二维层的生长之前的所述第一三维层、所述第一二维层、所述第二三维层和所述第二二维层的总厚度，小于所述PSS凸出部分与所述PSS凹陷部分之间的距离。

7.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，在所述每次进行所述第二三维层和所述第二二维层的生长之前，所述生长方法还包括：

在第三设定条件下，在所述第二二维层上生长三维诱导层；

其中，所述第三设定条件与所述第一设定条件满足如下关系中的一种或多种：

所述第三设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度高至少10℃；

所述第三设定条件中的生长压力比所述第一设定条件中的生长压力高，且所述第三设定条件中的生长压力大于或等于500torr；

所述第三设定条件中的生长温度比所述第一设定条件中的生长温度低至少150℃。