[发明专利]图像传感器像素及多色图像传感器像素有效

专利信息
申请号: 201410785588.6 申请日: 2014-12-17
公开(公告)号: CN105097855B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 柳政澔;真锅宗平 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 齐杨
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请案涉及一种图像传感器像素及一种多色图像传感器像素。图像传感器像素包含第一光电二极管、第二光电二极管、第一微透镜、第二微透镜及滤光片。所述第一及第二光电二极管在半导体材料中邻近于彼此而安置。所述第一光电二极管具有实质上等于所述第二光电二极管的第二最大阱容的第一最大阱容。所述第一微透镜安置在所述第一光电二极管上且所述第二微透镜安置在所述第二光电二极管上。所述第二微透镜与所述第一微透镜实质上相同。所述滤光片安置在所述第二微透镜与所述第二光电二极管之间以减小入射在所述第二光电二极管上的图像光的强度。所述滤光片不实质上影响朝向所述第一光电二极管引导的图像光。
搜索关键词: 光电二极管 微透镜 图像传感器像素 滤光片 多色图像传感器 安置 图像光 像素 半导体材料 申请案 引导的 减小 入射 邻近
【主权项】:
1.一种用于高动态范围图像传感器中的图像传感器像素,所述图像传感器像素包括:第一光电二极管,其安置在半导体材料中;第二光电二极管,其安置在所述半导体材料中,且具有实质上等于所述第一光电二极管的第一最大阱容的第二最大阱容,其中所述第一光电二极管在所述半导体材料中邻近于所述第二光电二极管而安置;第一微透镜,其安置在所述第一光电二极管上以朝向所述第一光电二极管引导图像光;第二微透镜,其安置在所述第二光电二极管上以朝向所述第二光电二极管引导所述图像光,其中所述第二微透镜与所述第一微透镜实质上相同;以及滤光片,其安置在所述第二微透镜与所述第二光电二极管之间以减小入射在所述第二光电二极管上的所述图像光的第一色彩的强度,其中所述滤光片不实质上影响朝向所述第一光电二极管引导的所述图像光的所述第一色彩,且与所述第一光电二极管相比,更少的所述图像光发射到所述第二光电二极管。
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