[发明专利]功率晶体管芯片的制作方法及功率晶体管芯片有效
| 申请号： | 201410784914.1 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105789108B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈彬;阎实 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种功率晶体管芯片的制作方法及功率晶体管芯片。其中，该制作方法包括以下步骤：形成半导体基体，半导体基体的正面形成有功率晶体管；在半导体基体的背面形成金属层；在金属层上形成保护膜，以阻隔水汽与金属层接触。该制作方法通过在金属层上形成保护膜，且该保护膜用于阻隔水汽与金属层接触，从而减少了功率晶体管芯片中由于金属层被空气中的水汽氧化而形成的白斑缺陷，进而提高了功率晶体管芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：形成半导体基体，所述半导体基体的正面形成有功率晶体管；在所述半导体基体的背面形成金属层；在所述金属层上形成保护膜，以阻隔水汽与所述金属层接触，在形成所述保护膜的步骤之前，所述制作方法还包括对形成有所述金属层的所述半导体基体进行烘烤处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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