[发明专利]集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201410784271.0 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105140222B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王鸿森;杨士欣;张国庆;洪伟硕;刘和昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/64;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，集成电路包括衬底和多晶硅电阻器。多晶硅电阻器设置在衬底上。多晶硅电阻具有至少一个正TCR部分和至少一个负TCR部分。正TCR部分邻近负TCR部分，并且正TCR部分与负TCR部分直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 多晶硅电阻器 衬底 多晶硅电阻 制造 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：衬底；以及多晶硅电阻器，设置在所述衬底的表面上，所述多晶硅电阻器具有至少一个正TCR(电阻温度系数)部分和至少一个负TCR部分，其中，所述正TCR部分邻近所述负TCR部分，并且所述正TCR部分与所述负TCR部分直接接触并且共面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
