[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；以及

多晶硅电阻器，设置在所述衬底的表面上，所述多晶硅电阻器具有至少一个正TCR(电阻温度系数)部分和至少一个负TCR部分，其中，所述正TCR部分邻近所述负TCR部分，并且所述正TCR部分与所述负TCR部分直接接触并且共面。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

ILD(层间介电)层，覆盖所述多晶硅电阻器和所述衬底，并且所述ILD层具有开口以暴露所述正TCR部分；

接触金属，填充在所述开口中；以及

金属焊盘，设置在所述ILD层上并且电连接至所述接触金属。

3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括设置在所述多晶硅电阻器的上表面上的保护膜，其中，所述负TCR部分被所述保护膜覆盖，并且所述正TCR部分未被所述保护膜覆盖。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述保护膜包括RPO(光刻胶保护氧化物)。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述正TCR部分包括自对准硅化物。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述衬底还包括浅沟槽隔离区，并且所述多晶硅电阻器设置在所述浅沟槽隔离区上。

7.根据权利要求6所述的集成电路，还包括：

至少一个MOS(金属氧化物半导体)晶体管，具有栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极设置在所述衬底上并且包括多晶硅，所述源电极和所述漏电极设置在所述衬底中且位于所述栅电极的相对两侧上。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述衬底还包括邻近所述浅沟槽隔离区的有源区，并且所述栅电极设置在所述有源区上。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多晶硅电阻器具有两个正TCR部分和设置在所述正TCR部分之间的一个负TCR部分。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述两个正TCR部分的总长度大于所述负TCR部分的长度。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多晶硅电阻器具有多个正TCR部分和多个负TCR部分，其中，所述正TCR部分和所述负TCR部分交替布置。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述多个正TCR部分的总长度大于所述多个负TCR部分的总长度。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述正TCR部分和所述负TCR部分分别具有长度与宽度的比率，并且所述正TCR部分的比率的总和大于所述负TCR部分的比率的总和。

14.一种集成电路，包括：

衬底；

电阻器，设置在所述衬底的表面上，所述电阻器具有至少一个正TCR部分和至少一个负TCR部分，其中，所述正TCR部分邻近所述负TCR部分，并且所述正TCR部分与所述负TCR部分直接接触并且共面；以及

至少一个MOS(金属氧化物半导体)晶体管，具有栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极设置在所述衬底上，并且所述源电极和所述漏电极设置在所述衬底中且位于所述栅电极的相对两侧上，

其中，所述电阻器和所述MOS晶体管的栅电极均包括多晶硅。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述衬底还包括浅沟槽隔离区和有源区；并且所述电阻器设置在所述浅沟槽隔离区上并且所述MOS晶体管设置在所述有源区上。