[发明专利]集成电路及其制造方法

说明书

本发明提供了集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，集成电路包括衬底和多晶硅电阻器。多晶硅电阻器设置在衬底上。多晶硅电阻具有至少一个正TCR部分和至少一个负TCR部分。正TCR部分邻近负TCR部分，并且正TCR部分与负TCR部分直接接触。

技术领域

本发明涉及集成电路及其制造方法。

背景技术

近年来半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每一代IC都具有比前一代IC更小且更复杂的电路。因此，这些进步已增加了加工和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC加工和制造中的类似的发展。

可以制造半导体电阻器并且将其集成到IC内以提供各种功能并且进一步提高IC的性能。对于提供具有多种功能和先进性能的IC来说，IC加工和制造中的需求已变得更有挑战性。期望这种半导体电阻器具有低电阻温度系数(TCR)，同时也具有高的电阻。因此，在制造半导体电阻器中通常需要特定的材料，并且也需要一些额外的工艺步骤以将半导体电阻器与IC中的诸如金属氧化物半导体(MOS)晶体管的其他器件集成。因此，需要膜沉积、光刻和/或蚀刻操作的多步操作以由材料形成半导体电阻器。

因此，需要改进集成电路及其制造方法的IC材料和设计。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路，包括：衬底；以及多晶硅电阻器，设置在所述衬底上，所述多晶硅电阻器具有至少一个正电阻温度系数(TCR)部分和至少一个负TCR部分，其中，所述正TCR部分邻近所述负TCR部分，并且所述正TCR部分与所述负TCR部分直接接触。

在上述集成电路中，还包括：层间介电(ILD)层，覆盖所述多晶硅电阻器和所述衬底，并且所述ILD层具有开口以暴露所述正TCR部分；接触金属，填充在所述开口中；以及金属焊盘，设置在所述ILD层上并且电连接至所述接触金属。

在上述集成电路中，还包括设置在所述多晶硅电阻器的上表面上的保护膜，其中，所述负TCR部分被所述保护膜覆盖，并且所述正TCR部分未被所述保护膜覆盖。

在上述集成电路中，所述保护膜包括光刻胶保护氧化物(RPO)。

在上述集成电路中，所述正TCR部分包括自对准硅化物。

在上述集成电路中，所述衬底还包括浅沟槽隔离区，并且所述多晶硅电阻器设置在所述浅沟槽隔离区上。

在上述集成电路中，还包括：至少一个金属氧化物半导体(MOS)晶体管，具有栅电极、源电极和漏电极，其中，所述栅电极设置在所述衬底上并且包括多晶硅，所述源电极和所述漏电极设置在所述衬底中且位于所述栅电极的相对两侧上。

在上述集成电路中，所述衬底还包括邻近所述浅沟槽隔离区的有源区，并且所述栅电极设置在所述有源区上。

在上述集成电路中，所述多晶硅电阻器具有两个正TCR部分和设置在所述正TCR部分之间的一个负TCR部分。

在上述集成电路中，所述两个正TCR部分的总长度大于所述负TCR部分的长度。

在上述集成电路中，所述多晶硅电阻器具有多个正TCR部分和多个负TCR部分，其中，所述正TCR部分和所述负TCR部分交替布置。

在上述集成电路中，所述多个正TCR部分的总长度大于所述多个负TCR部分的总长度。

在上述集成电路中，所述正TCR部分和所述负TCR部分分别具有长度与宽度的比率，并且所述正TCR部分的比率的总和大于所述负TCR部分的比率的总和。