[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。在为了将MOSFET和非易失性存储器用FET（MONOS型FET）形成在同一半导体衬底上而依次进行MOSFET的栅极电极膜的形成、非易失性存储器用FET的栅极电极膜的形成、非易失性存储器用FET的栅极电极的构图、MOSFET的栅极电极的构图的制造方法中，抑制对MOSFET的栅极电极进行构图的蚀刻工序中的对非易失性存储器用FET的栅极电极的蚀刻损伤。以使先形成的非易失性存储器用FET的栅极电极上的抗蚀剂膜厚成为不会由于用于形成MOSFET的栅极电极的蚀刻而消失的膜厚的方式，规定将非易失性存储器用FET的栅极电极的宽度设为L、将间隔设为S、将高度设为H时的S/L与H/L的积的值。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括非易失性存储器用FET和MOSFET，其中，所述半导体装置的制造方法包括以下的工序：（e）在半导体衬底的整个面对第一栅极电极膜进行成膜的工序；（i）在所述工序（e）之后，对形成所述非易失性存储器用FET的区域进行开口，使所述半导体衬底的半导体表面露出的工序；（m）在所述工序（i）之后，通过依次沉积第一势垒膜、电荷积蓄膜、以及第二势垒膜而形成电荷积蓄3层膜的工序；（n）在所述工序（m）之后，在所述电荷积蓄3层膜上对第二栅极电极膜进行成膜的工序；（o）在所述工序（n）之后，对所述非易失性存储器用FET的栅极电极进行构图的工序；（p）在所述工序（o）之后，通过光刻，在所述非易失性存储器用FET的区域和所述MOSFET的形成栅极电极的区域形成抗蚀剂膜的工序；（q）在所述工序（p）之后，对未被在所述工序（p）中形成的所述抗蚀剂膜覆盖的所述第一栅极电极膜进行蚀刻的工序，在此，以使在所述工序（p）中的所述抗蚀剂膜的在所述非易失性存储器用FET的栅极电极上的膜厚成为不会由于所述工序（q）的蚀刻工序而消失的膜厚的方式，规定将所述非易失性存储器用FET的栅极电极的宽度设为L、将间隔设为S、将高度设为H时的S/L与H/L的积的值。