[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410757053.8 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742351B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林正基;叶宇能;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，其包括一掺杂基底、一栅结构、一源极、一漏极与一场掺杂区。源极与漏极分别位于栅结构的相对侧的掺杂基底中。场掺杂区具有相反于源极与漏极的导电型。场掺杂区从源极延伸超过栅结构的一第一栅侧壁，而未到达栅结构相对于第一栅侧壁的一第二栅侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一掺杂基底；一栅结构；一源极与一漏极，分别位于该栅结构的相对侧的该掺杂基底中；一场掺杂区，具有相反于该源极与该漏极的导电型，并从该源极延伸超过该栅结构的一第一栅侧壁，而未到达该栅结构相对于该第一栅侧壁的一第二栅侧壁；以及一隔离结构，其中该源极与该漏极各包括导电型相同且相邻近的一第一掺杂部分与一第二掺杂部分，该第一掺杂部分的掺杂浓度小于该第二掺杂部分，该漏极的该第一掺杂部分位于该隔离结构与该第二掺杂部分之间的该掺杂基底中；该漏极位于该隔离结构与该第二掺杂部分之间的该第一掺杂部分其长度为0.1μm～1μm；该源极的该第一掺杂部分仅延伸超过该第二掺杂部分的相对侧壁中的其中一个。
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