[发明专利]一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410730074.0 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104505125B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 刘倩茹;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种多通道SRAM单粒子测试装置,包括:测试板和主控板;其中,测试板用于固定、连接待测芯片;主控板用于控制辐照测试系统,并读取、记录待测芯片中的数据。该装置能够同时实现对多个SRAM器件单粒子效应进行测试,获得单粒子效应特征参数,提高对被测器件抗单粒子效应能力预估的准确性;还可实时检测被测器件工作电流的大小,防止闩锁效应的发生。
搜索关键词: 单粒子效应 被测器件 测试板 单粒子 多通道 主控板 抗单粒子效应能力 测试方法及装置 读取 预估 测试装置 待测芯片 辐照测试 工作电流 实时检测 特征参数 闩锁效应 芯片 测试 记录
【主权项】:
1.一种多通道SRAM单粒子测试装置,包括:测试板和主控板;其中,测试板用于固定、连接待测芯片;主控板用于控制辐照测试系统,并读取、记录待测芯片中的数据;所述测试板和主控板沿竖直方向平行放置;并且,所述测试板与所述主控板在沿辐射源照射方向上依次设置。
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