[发明专利]一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置有效
申请号: | 201410730074.0 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN104505125B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 刘倩茹;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单粒子效应 被测器件 测试板 单粒子 多通道 主控板 抗单粒子效应能力 测试方法及装置 读取 预估 测试装置 待测芯片 辐照测试 工作电流 实时检测 特征参数 闩锁效应 芯片 测试 记录 | ||
本发明提供了一种多通道SRAM单粒子测试装置,包括:测试板和主控板;其中,测试板用于固定、连接待测芯片;主控板用于控制辐照测试系统,并读取、记录待测芯片中的数据。该装置能够同时实现对多个SRAM器件单粒子效应进行测试,获得单粒子效应特征参数,提高对被测器件抗单粒子效应能力预估的准确性;还可实时检测被测器件工作电流的大小,防止闩锁效应的发生。
技术领域
本发明涉及器件可靠性领域,特别地,涉及一种单粒子测试方法及装置。
背景技术
由于SRAM存储器具有存取速度快等优点,航天器研制中大量使用SRAM来存储配置信息、测试数据等。而航天器在空间中飞行,一直处于带电粒子构成的辐射环境中,空间辐射环境中的高能质子、重离子,大气环境中的中子都能导致航天器中的SRAM器件发生单粒子效应,使SRAM中存储的数据发生随机改变,影响器件的可靠性,所以航天器中SRAM器件抗单粒子效应的能力直接关系着航天器的稳定性。
现有的单粒子测试系统,没有专门针对SRAM器件进行的测试,在测试SRAM器件单粒子效应时,不能同时监测芯片的闩锁效应,而且效率不高。
因此,亟需一种能够有效检测SRAM中单粒子效应的方法。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种多通道SRAM单粒子测试装置和方法,可高效地同时测试多片SRAM芯片,节省测试时间,在测试的过程中,还可以硬件检测芯片的闩锁效应,减少电磁干扰。该装置包括:
测试板和主控板;其中,
测试板用于固定、连接待测芯片;
主控板用于控制辐照测试系统,并读取、记录待测芯片中的数据。其中,所述主控板包括:
电源模块,用于将输入电源转化为各模块所需要的不同电压;
通信模块,用于接收外部信号;
缓存模块,用于读写测试数据;
主控模块,用于实现控制信号的命令,为各模块提供时序控制;电平转换模块,用于转换被测芯片接口电平与FPGA接口电平;第一接口模块,用于连接主控板和测试板。
其中,所述测试板包括第二接口模块和测试夹具;其中,
所述第二接口模块,用于连接主控板和测试板;
所述测试夹具为待测SRAM提供固定。
所述测试夹具的数量为N,其中N为1、2、3、4……等。
其中,所述测试板和控制板沿竖直方向平行放置;所述测试板和控制板上挖有空槽,用于放置数据排线;所述空槽的数量为N,其中N为0、1、2、3、4……等。
相应的,本发明还提供了一种多通道SRAM单粒子测试方法,包括:
a.将测试数据写入待测芯片中,并读出待测芯片中的数据,与写入的数据对比;
b.两组数据对比无误后开启辐照;
c.辐照过程中,不断读取待测芯片中测得的数据;
d.将测量数据与预设的数据进行对比,记录不相同的数据。
本发明提供了一种基于FPGA的多通道SRAM器件单粒子效应测试系统,该系统能够同时实现对多个SRAM器件单粒子效应进行测试,获得单粒子效应特征参数,提高对被测器件抗单粒子效应能力预估的准确性。该系统还可实时检测被测器件工作电流的大小,防止闩锁效应的发生。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
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