[发明专利]FinFET工艺器件保护环有效
| 申请号： | 201410725319.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105720087B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵劼;钟汇才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种FinFET工艺器件保护环，包括：有源区；多个鳍片结构，形成在有源区之上且沿第一方向延伸分布；多个接触孔，分布在多个鳍片结构之间，接触有源区；布线层，分布在有源区之上，与多个接触孔电连接。依照本发明的FinFET器件保护环，在器件外围区域保护环中仅在鳍片延伸方向添加交替设置的鳍片和接触孔，以低成本、高效率地防止FinFET器件的闩锁效应。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 工艺 器件 保护环 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET工艺器件保护环，包括：有源区；多个鳍片结构，形成在有源区之上且仅沿第一方向延伸分布；多个接触孔，分布在多个鳍片结构之间，直达鳍片底部两侧的衬底以接触有源区，仅分布在第二方向上且与多个鳍片结构不重合、不交叉；布线层，分布在有源区之上，与多个接触孔电连接。
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