[发明专利]一种新型半导体材料的制作方法在审
| 申请号： | 201410720007.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104480524A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张旭 | 申请（专利权）人： | 苏州华碧微科检测技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/46 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 安纪平 |
| 地址： | 215024 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型半导体材料的制作方法，包括以下步骤：步骤1)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到1毫升的反应溶剂中，得到反应混合物；步骤2)将反应混合物放入反应容器中并置入烘箱内加温反应，烘箱温度范围为170-190度，反应时间范围为80-100小时；步骤3)加温反应结束后将反应容器取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶。本发明步骤简单，可高效、快捷、方便地制作材料，并能达到产量化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体材料 制作方法 | ||
【主权项】：
一种新型半导体材料的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1)将0.1毫摩尔的铟粉和0.3毫摩尔的硫粉加入到1毫升的反应溶剂中，得到反应混合物，所述反应溶剂为二甲基甲酰胺和水的混合溶液；步骤2)将反应混合物放入反应容器中并置入烘箱内加温反应，烘箱温度范围为170‑190度，反应时间范围为80‑100小时；步骤3)加温反应结束后将反应容器取出，待冷却到室温后，经无水酒精洗涤后于室温下晾干，得到无色四面体结构的半导体单晶。
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