[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201410717233.3 | 申请日： | 2014-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN104503127A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 宋利旺 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1335 | 分类号： | G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板通过将黑色矩阵和色阻层均设置于阵列基板上，并且将色阻层设置于TFT层上，避免了TFT制备过程中的高温制程对色阻层产生不良影响，同时为防止阵列基板漏电，TFT层采用顶栅型TFT结构，从而使得液晶面板具有较高的显示品质。所述阵列基板的制作方法，首先在基板上形成黑色矩阵，其次在黑色矩阵上进行TFT制程，然后在TFT制作完成后再形成色阻层，从而实现将黑色矩阵和色阻层均制作于阵列基板上，并且由于在TFT制程之后形成色阻层，避免了TFT制备过程中的高温制程中色阻挥发产生气体而导致产生气泡等不良现象，有效提升了液晶面板的显示品质，并且提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括基板(1)，设于所述基板(1)上的黑色矩阵(2)，设于所述黑色矩阵(2)上的TFT层(21)，设于所述TFT层(21)上的色阻层(8)、第二钝化保护层(9)、及像素电极层(11)；所述TFT层(21)包括设于所述黑色矩阵(2)上的源/漏极(3)、设于所述源/漏极(3)上的半导体层(4)、设于所述半导体层(4)上的栅极绝缘层(5)、设于所述栅极绝缘层(5)上的栅极(6)、以及设于所述栅极(6)上的第一钝化保护层(7)。
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