[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括背光模组(Backlight module)及结合于背光模组上的液晶面板。

在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)中，通常会在基板上制作一层BM(Black Matrix，黑色矩阵)，用于分割相邻色阻，遮挡色彩的空隙，防止漏光或者混色，将黑色矩阵制备在TFT阵列基板的技术叫做BOA(BM On Array，黑色矩阵贴附于阵列基板)，BOA可以解决上下基板错位导致遮光区域不匹配的问题。

同时，为了提升TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的显示品质，还提出了一种COA(Color Filter On Array，色阻层贴附于阵列基板)技术。

如图1所示，当BOA和COA技术都应用在阵列基板100上，通常为了使用喷涂技术而把黑色矩阵200和色阻层300做在同一层，这样色阻层300会经历TFT制备过程中的PVD(物理气相沉积)和CVD(化学气相沉积)的高温制程，对色阻层300的性能会有严重的影响，此外，高温制程会使得色阻层300挥发产生气体，成为气泡的来源，降低产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板，通过将黑色矩阵和色阻层均设置于阵列基板上，并且将色阻层设置于TFT层上，避免了TFT制备过程中的高温制程对色阻层产生不良影响，从而使得液晶面板具有较高的显示品质。

本发明的目的还在于提供一种阵列基板的制作方法，首先在基板上形成黑色矩阵，其次在黑色矩阵上进行TFT制程，然后在TFT制作完成后再形成色阻层，从而实现将黑色矩阵和色阻层均制作于阵列基板上，并且由于在TFT制程之后形成色阻层，避免了TFT制备过程中的高温制程中色阻挥发产生气体而导致的气泡等不良现象，有效提升了液晶面板的显示品质，并且提高了产品良率。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括基板，设于所述基板上的黑色矩阵，设于所述黑色矩阵上的TFT层，设于所述TFT层上的色阻层、第二钝化保护层、及像素电极层；

所述TFT层包括设于所述黑色矩阵上的源/漏极、设于所述源/漏极上的半导体层、设于所述半导体层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的栅极、以及设于所述栅极上的第一钝化保护层。

所述色阻层位于第一钝化保护层上，所述第二钝化保护层位于色阻层上，所述像素电极层位于所述第二钝化保护层上，所述阵列基板还包括一贯穿第二钝化保护层、色阻层、第一钝化保护层、栅极绝缘层和半导体层的过孔，所述像素电极层经由过孔与所述源/漏极电性连接。

所述像素电极层包括第一ITO电极层和第二ITO电极层，所述第一ITO电极层位于第一钝化保护层上，所述阵列基板还包括一贯穿第一钝化保护层、栅极绝缘层和半导体层的过孔，所述第一ITO电极层经由过孔与所述源/漏极相接触，所述色阻层位于第一ITO电极层上，所述第二钝化保护层位于色阻层上，所述第二ITO电极层位于所述第二钝化保护层上，并且所述第一ITO电极层和第二ITO电极层相连，共同形成像素电极层。

所述源/漏极和栅极的材料为铜或铝。

所述半导体层是由非晶硅层和重掺杂的N型硅层组成的双层结构，也可以是由铟镓锌氧化物层构成的单层结构。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、提供基板，在所述基板上形成黑色矩阵；

步骤2、在所述黑色矩阵上制作TFT层；

步骤3、在所述TFT层和基板上形成色阻层、第二钝化保护层、及像素电极层；

所述步骤2包括以下具体步骤：

步骤21、在所述黑色矩阵上沉积并图案化第一金属层，形成源/漏极；

步骤22、在所述源/漏极上形成半导体层，在所述半导体层上形成栅极绝缘层；

步骤23、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成栅极；

步骤24、在所述栅极上形成钝化保护层。

所述步骤3包括如下具体步骤：