[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，在第1导电型的半导体基板上，依次设有第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层以及第1导电型的第3半导体层。形成有：第1沟槽，将第2半导体层及第3半导体层贯通；第2沟槽，与第1沟槽离开；第3沟槽，与第2沟槽离开；第1槽，设置成俯视观察时与将第1沟槽、第2沟槽及第3沟槽连结的方向平行，具备：第1至第3绝缘膜，分别设在第1至第3沟槽的内部；第1至第3导电部，分别设在第1至第3沟槽的内部，并分别设在第1至第3绝缘膜的内侧；源极，与第1至第3导电部电连接，并设在第3半导体层上；第4绝缘膜，设在第1槽的内部；栅极，设在第4绝缘膜的内侧；以及漏极，设在半导体基板的背面侧。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的第1半导体层，形成在上述基板上；第2导电型的第2半导体层，形成在上述第1半导体层上；以及第1导电型的第3半导体层，形成在上述第2半导体层上，并且形成有：第1沟槽，在与上述基板的表面垂直的方向上贯通上述第2半导体层及第3半导体层；第2沟槽，在与上述基板的表面垂直的方向上贯通上述第2半导体层及第3半导体层，并与上述第1沟槽离开；第3沟槽，在与上述基板的表面垂直的方向上贯通上述第2半导体层及第3半导体层，并与上述第2沟槽离开；以及第1槽，在与上述基板的表面垂直的方向上贯通上述第2半导体层及第3半导体层，并设置成俯视观察时与将上述第1沟槽、第2沟槽及第3沟槽连结的方向平行，该半导体装置具备：第1绝缘膜、第2绝缘膜及第3绝缘膜，分别形成在上述第1沟槽、第2沟槽及第3沟槽的内部；第1导电部、第2导电部及第3导电部，分别形成在上述第1沟槽、第2沟槽及第3沟槽的内部，并分别形成在上述第1绝缘膜、第2绝缘膜及第3绝缘膜的内侧；源极，与上述第1导电部、第2导电部及第3导电部电连接，形成在上述第3半导体层上；第4绝缘膜，形成在上述第1槽的内部；栅极，形成在上述第4绝缘膜的内侧；以及漏极，设在上述基板的背面侧。