[发明专利]一种大功率压接型IGBT模块在审
| 申请号： | 201410693404.3 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104362141A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 韩荣刚;张朋;刘文广;李现兵 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网北京市电力公司 |
| 主分类号： | H01L25/11 | 分类号： | H01L25/11;H01L23/04;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 压接型 igbt 模块 | ||
【主权项】：
一种大功率压接型IGBT模块，所述模块为垂直叠层式封装结构，其特征在于：所述模块包括子单元壳体(1)、子单元壳盖组件(2)和模块外壳(3)；由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)通过冷压焊封装形成子单元，模块外壳(3)内沿轴向设有数量不少于1个的子单元；子单元在垂直方向与模块外壳(3)活动连接；所述子单元壳体(1)内填充惰性气体。
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