[发明专利]一种半导体加工设备在审
申请号: | 201410675121.6 | 申请日: | 2014-11-21 |
公开(公告)号: | CN105679693A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 于海涛 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体加工设备。该半导体加工设备包括下电极系统,下电极系统包括背吹管路和卡盘,背吹管路与热交换媒介源相连通,热交换媒介源用于提供热交换媒介,卡盘用于承载基片,背吹管路用于向卡盘和基片之间输送热交换媒介,在背吹管路上设置有加热装置,加热装置包括加热器,加热器用于加热热交换媒介。本发明提供的半导体加工设备,其既可以解决卡盘和基片之间传热效率低的问题,又可以解决在基片需要升温至较高时常温的氮气容易造成对基片本身的温度产生影响的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种半导体加工设备,包括下电极系统,所述下电极系统包括背吹管路和卡盘,所述背吹管路与热交换媒介源相连通,所述热交换媒介源用于提供热交换媒介,所述卡盘用于承载基片,所述背吹管路用于向所述卡盘和基片之间输送所述热交换媒介,其特征在于,在所述背吹管路上设置有加热装置,所述加热装置包括加热器,所述加热器用于加热所述热交换媒介。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造