[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构的制造方法。于基板上形成第一与第二栅极线、第一与第二栅极以及连接线，第一与第二栅极位于连接线两侧且位于第一与第二栅极线之间。形成栅绝缘层。于第一与第二栅极上方的栅绝缘层上形成第一与第二半导体层。分別于第一与第二半导体层的相对两侧上形成第一源极与漏极以及第二源极与漏极，以及于基板上形成源极线。于基板上形成具有开口的绝缘层，开口位于连接线上方且暴露连接线。于绝缘层上形成共用电极，共用电极经由开口与连接线电性连接。于共用电极上形成第一与第二像素电极，分別与第一及第二漏极电性连接。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一第一栅极线、一第二栅极线、一第一栅极、一第二栅极以及一连接线，其中该第一栅极与该第二栅极位于该连接线两侧且位于该第一栅极线与该第二栅极线之间；于该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该第一栅极线、该第二栅极线、该第一栅极、该第二栅极以及该连接线；于该第一栅极与该第二栅极上方的该栅绝缘层上形成一第一半导体层以及一第二半导体层；于该第一半导体层的相对两侧上形成一第一源极与一第一漏极，于该第二半导体层的相对两侧上形成一第二源极与一第二漏极，以及于该基板上形成与该第一源极及该第二源极电性连接的一源极线；于该基板上形成具有一第一开口的一第一绝缘层，该第一开口位于该连接线上方且暴露该连接线；于该第一绝缘层上形成一共用电极，该共用电极经由该第一开口与该连接线电性连接；以及于该共用电极上形成一第一像素电极与一第二像素电极，该第一像素电极与该第二像素电极分別与该第一漏极及该第二漏极电性连接。