[发明专利]像素结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种元件及其制造方法，且特别是有关于一种像素结构及 其制造方法。

背景技术

近年来随着光电技术与半导体制造技术的成熟，带动了平面显示器(Flat PanelDisplay)的蓬勃发展。液晶显示器具有低电压操作、无辐射线散射、重量 轻以及体积小等优点，因此逐渐取代传统的阴极射线管显示器，而成为近年来 显示器产品的主流。然而，液晶显示器仍存在视角受限的问题。目前，能够达 成广视角要求的技术包括了扭转向列型(twistednematic,TN)液晶加上广视角 膜(wideviewingfilm)、共平面切换式(in-planeswitching,IPS)液晶显示器、边缘 电场转换型(FringeFieldSwitching,FFS)液晶显示器与多域垂直配向式 (Multi-domainverticallyalignment,MVA)液晶显示器等。

在现有技术的边缘电场切换式液晶显示器中，各个像素由一扫描线、一数 据线、一主动元件以及两层电极所组成。两层电极中有一者连接于主动元件以 构成一像素电极，另一者则连接至一共享电压以构成一共用电极。另外，主动 元件还连接于扫描线以及数据线，其中扫描线用以控制主动元件的开启与关闭 以将数据线所传递的信号输入于像素电极中。

在现有技术的边缘电场切换式液晶显示器的各像素中，通常会采用铟锡氧 化物作为共享电极的材料，导致共享电极具有阻值较高的缺点。为了降低共用 电极的阻值，有人提出于像素内设置一金属图案，并于蓝色像素内设置用以连 接金属图案与共享电极的接触窗插塞，如此降低共享电极的整体阻值。然而， 额外于蓝色像素内设置接触窗插塞会大幅降低蓝色像素的开口率，进而使其色 饱和度大幅下降。

发明内容

本发明提供一种像素结构的制造方法，使得共享电极具有较低的阻抗，以 及像素具有较佳的开口率与色饱和度。

本发明另提供一种像素结构，其中像素具有较佳的开口率与色饱和度。

本发明的像素结构的制造方法包括以下步骤。于一基板上形成一第一栅极 线、一第二栅极线、一第一栅极、一第二栅极以及一连接线，其中第一栅极与 第二栅极位于连接线两侧且位于第一栅极线与第二栅极线之间。于基板上形成 一栅绝缘层，以覆盖第一栅极线、第二栅极线、第一栅极、第二栅极以及连接 线。于第一栅极与第二栅极上方的栅绝缘层上形成一第一半导体层以及一第二 半导体层。于第一半导体层的相对两侧上形成一第一源极与一第一漏极，于第 二半导体层的相对两侧上形成一第二源极与一第二漏极，以及于基板上形成与 第一源极及第二源极电性连接的源极线。于基板上形成具有一第一开口的一第 一绝缘层，第一开口位于连接线上方且暴露连接线。于第一绝缘层上形成一共 用电极，共用电极经由第一开口与连接线电性连接。于共用电极上形成一第一 像素电极与一第二像素电极，第一像素电极与第二像素电极分別与第一漏极及 第二漏极电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的第一栅极与第二栅极对称地形成于连接线 的两侧。

在本发明的一实施例中，上述的基板包括一第一像素区，第一像素区具有 一上部区域与一下部区域，第一栅极线、第一栅极、第一半导体层、第一源极 与第一漏极以及第一像素电极形成于上部区域中，以及第二栅极线、第二栅极、 第二半导体层、第二源极与第二漏极以及第二像素电极形成于下部区域中。

在本发明的一实施例中，上述的第一栅极线、第一栅极、第一半导体层、 第一源极与第一漏极以及第一像素电极形成一第一像素，以及第二栅极线、第 二栅极、第二半导体层、第二源极与第二漏极以及第二像素电极形成一第二像 素，第一像素与第二像素为具有相同颜色的像素。

在本发明的一实施例中，上述的第一像素与第二像素为蓝色像素。