[发明专利]红外探测器阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种红外探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字型阴极(6)；所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4)，每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m×m个相同的p型锥形掺杂区(3)，形成p型锥形掺杂区阵列，每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结，m为整数且m≥1。本发明具有工艺简单、量子效率高、串音低的优点，可用于红外侦查和红外医疗领域。

主权项

一种红外探测器阵列，包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；每个台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)边缘上部淀积有“回”字形阴极(6)；所述n型InSb衬底(1)上部和每个台面(2)侧面淀积有保护层(4)，其特征在于：每个台面(2)正下方的n型InSb衬底(1)内设有m×m个相同的p型锥形掺杂区(3)，形成p型锥形掺杂区阵列，每个p型锥形掺杂区(3)均与n型InSb衬底(1)构成pn结，m为整数且m>1。