[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410665794.3 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104538437B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 木村肇;大原宏树;鹿山昌代 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/43;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电层；位于所述第一导电层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；位于所述氧化物半导体层上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二导电层；第三导电层，电连接到所述氧化物半导体层；以及第四导电层，电连接到所述氧化物半导体层，其中所述第一导电层包括用作晶体管的第一栅电极的区域，其中所述第二导电层包括用作所述晶体管的第二栅电极的区域，其中所述第三导电层包括用作所述晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域，其中所述第四导电层包括用作所述晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域，其中所述第一导电层包括在其中第二层堆叠于第一层上的区域，其中所述第一层的末端部分包括延伸超出所述第二层的末端部分的区域，以及其中所述第三导电层的末端部分包括延伸超出所述氧化物半导体层的末端部分的区域。
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