[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410665794.3 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104538437B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 木村肇;大原宏树;鹿山昌代 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/43;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电层；
位于所述第一导电层上的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；
位于所述氧化物半导体层上的第二绝缘层；
位于所述第二绝缘层上的第二导电层；
第三导电层，电连接到所述氧化物半导体层；以及
第四导电层，电连接到所述氧化物半导体层，
其中所述第一导电层包括用作晶体管的第一栅电极的区域，
其中所述第二导电层包括用作所述晶体管的第二栅电极的区域，
其中所述第三导电层包括用作所述晶体管的源电极和漏电极中的一个的区域，
其中所述第四导电层包括用作所述晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域，
其中所述第一导电层包括在其中第二层堆叠于第一层上的区域，
其中所述第一层的末端部分包括延伸超出所述第二层的末端部分的区域，以及
其中所述第三导电层的末端部分包括延伸超出所述氧化物半导体层的末端部分的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第三导电层包括在其中第四层堆叠于第三层上的区域，
其中所述第四导电层包括在其中第六层堆叠于第五层上的区域，
其中所述第三层包括延伸超出所述第四层的末端部分的区域，以及
其中所述第五层包括延伸超出所述第六层的末端部分的区域。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
其中所述第二导电层包括在其中第八层堆叠于第七层上的区域，以及
其中所述第七层包括延伸超出所述第八层的末端部分的区域。
4.一种半导体器件，包括：
第一导电层；
位于所述第一导电层上的绝缘层；
位于所述绝缘层上的氧化物半导体层；
第二导电层，电连接到所述氧化物半导体层；以及
第三导电层，电连接到所述氧化物半导体层，
其中所述第一导电层具有作为晶体管的栅电极的功能，
其中所述第二导电层具有作为所述晶体管的源电极和漏电极中的一个的功能，
其中所述第三导电层具有作为所述晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的功能，
其中所述第一导电层包括在其中第二层堆叠于第一层上的区域，
其中所述第二层包括铜，
其中所述第二层包括被刻蚀以使得所述第二层的末端部分从所述第一层的末端部分凹陷的部分，以及
其中所述第二导电层的末端部分包括延伸超出所述氧化物半导体层的末端部分的区域。
5.一种半导体器件，包括：
第一导电层；
位于所述第一导电层上的绝缘层；
位于所述绝缘层上的氧化物半导体层；
第二导电层，电连接到所述氧化物半导体层；以及
第三导电层，电连接到所述氧化物半导体层，
其中所述第一导电层具有作为晶体管的栅电极的功能，
其中所述第二导电层具有作为所述晶体管的源电极和漏电极中的一个的功能，
其中所述第三导电层具有作为所述晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的功能，
其中所述第一导电层包括在其中第二层堆叠于第一层上的区域，
其中所述第二层包括铜，
其中所述第一层的末端部分包括延伸超出所述第二层的末端部分的区域，
其中所述第一层的所述末端部分的侧表面不与所述第二层的所述末端部分的侧表面齐平，以及
其中所述第二导电层的末端部分包括延伸超出所述氧化物半导体层的末端部分的区域。
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