[发明专利]功率晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种功率晶体管及其制作方法，通过在第一导电类型的漂移区中间添加一个贯穿整个第一导电类型的第一外延层并延伸至第一导电类型的第二外延层内的深槽结构，并在所述深槽结构内填充多晶硅层，可以将常规的LDMOS的漏极端电势直接导到整个结构的背面，在所述第一导电类型的第二外延层和多晶硅层之间形成一个等势体；本发明的功率晶体管相较于现有的平面LDMOS，本发明的功率晶体管不仅具有传统平面LDMOS的频率范围较宽、线性好、耐用性好和击穿电压高的优点，还进一步提高了器件的各项性能，如降低器件的导通阻抗等；所述晶体管的整体尺寸较小，且不会占据半导体晶片额外的宝贵空间。

主权项

一种功率晶体管，其特征在于：所述功率晶体管包括：第一导电类型的第一外延层，作为所述功率晶体管的漏区；第一导电类型的第二外延层，位于所述第一导电类型的第一外延层上；第一导电类型的漂移区，位于所述第一导电类型的第二外延层内；深槽结构，与所述第一导电类型的漂移区横向邻接，所述深槽结构贯穿整个所述第一导电类型的第二外延层且延伸至所述第一导电类型的第一外延层的内部；所述深槽结构内填充有多晶硅层；源区，位于所述第一导电类型的第二外延层内，且与所述第一导电类型的漂移区和所述深槽结构隔开。