[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本公开涉及半导体结构及其形成方法。半导体结构可包含半导体鳍、半导体鳍之上的栅极、栅极的侧壁上的间隔件、间隔件之下的半导体鳍的端部中的带角度的凹陷区域、以及填充带角度的凹陷的第一半导体区域。带角度的凹陷可以是v形的或Σ形的。该结构还可包含接触第一半导体区域和衬底的第二半导体区域。可通过在衬底上的半导体鳍的一部分之上形成栅极、在栅极的侧壁上形成间隔件、去除半导体鳍的不被间隔件和栅极覆盖的部分以露出鳍的侧壁、蚀刻鳍的侧壁以在间隔件之下形成带角度的凹陷区域、以及用第一外延半导体区域填充带角度的凹陷区域，来形成所述结构。

主权项

一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上的半导体鳍的一部分之上形成栅极；在栅极的侧壁上形成间隔件；去除半导体鳍的不被间隔件和栅极覆盖的部分，以露出鳍的侧壁；蚀刻鳍的侧壁，以在间隔件之下形成带角度的凹陷区域；以及在衬底上生长外延的第一半导体区域，所述外延的第一半导体区域填充带角度的凹陷区域并且接触鳍。