[发明专利]一种空气侧墙的制作方法

摘要

本发明公开了一种空气侧墙的制作方法，在CMOS器件制作过程中，通过形成释放口将NMOS栅极、PMOS栅极两侧的APF侧墙刻蚀去除来形成空气侧墙，以取代传统的二氧化硅或氮化硅侧墙，利用侧墙中空气的介质特性，可有效减小器件的寄生电容，提高器件的瞬态响应特征，从而减小反转延迟，降低开关所需能量，减小能耗，提高CMOS的运行速度，并可与现有的CMOS工艺相兼容，因此具有很大的应用价值。

主权项

一种空气侧墙的制作方法，用于CMOS工艺中的器件制作，其特征在于，包括：步骤一：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区形成有N+源漏区和NMOS栅极，所述PMOS区形成有P+源漏区和PMOS栅极；步骤二：沉积APF层，并刻蚀形成所述NMOS栅极、PMOS栅极的APF侧墙；步骤三：沉积第一介质层，覆盖所述NMOS栅极、PMOS栅极及APF侧墙；其中，所述第一介质层为采用原子层沉积工艺低温沉积而成的二氧化硅介质层，反应气体为SiH2(NEt2)2(BDEAS)，反应温度为50～100℃；步骤四：对所述第一介质层进行平坦化，直至去除所述APF侧墙顶部的一部分，以在所述APF侧墙顶部形成释放口；步骤五：通过所述释放口去除所述APF侧墙；其中，通过所述释放口采用干法刻蚀去除所述APF侧墙，反应气体为氧气；步骤六：沉积第二介质层，封闭所述释放口，原位形成所述NMOS栅极、PMOS栅极的空气侧墙。