[发明专利]形成FinFET装置上的替代栅极结构及鳍片的方法以及装置

摘要

本发明涉及形成FinFET装置上的替代栅极结构及鳍片的方法以及装置，揭露的一种方法包括：除其它以外，移除牺牲栅极结构以定义替代栅极开口；通过该替代栅极开口执行蚀刻制程，以通过将该替代栅极开口内暴露的图案化硬掩膜用作蚀刻掩膜而在半导体材料层中定义鳍片结构；以及围绕该鳍片结构的至少部分在该替代栅极开口中形成替代栅极结构。

主权项

一种形成FinFET装置的方法，包括：在半导体材料层上方形成图案化硬掩膜，该图案化硬掩膜具有与将要在该半导体材料层中形成的鳍片结构对应的图案；在该图案化硬掩膜及该半导体材料层上方形成牺牲栅极结构；在形成该牺牲栅极结构以后，邻近该牺牲栅极结构形成第一侧间隙壁；邻近该第一侧间隙壁形成绝缘材料层；执行至少一第一蚀刻制程以移除该第一侧间隙壁，从而在该绝缘材料层与该牺牲栅极结构之间定义间隙壁开口；使用绝缘材料基本填充至少该间隙壁开口，以在该间隙壁开口中定义至少第二侧间隙壁；执行至少一第二蚀刻制程以移除该牺牲栅极结构，从而定义位于该第二侧间隙壁之间的替代栅极开口；通过该替代栅极开口执行至少一蚀刻制程，以通过将该替代栅极开口内暴露的该图案化硬掩膜用作蚀刻掩膜而在该半导体材料层中定义该鳍片结构；以及围绕该鳍片结构的至少部分在该替代栅极开口中形成替代栅极结构。