[发明专利]具有垂直沟道的隧穿晶体管、可变电阻存储器及制造方法在审
| 申请号： | 201410610790.5 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104882480A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L45/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种隧穿晶体管，包括：半导体衬底，源极在半导体衬底上形成在上部区域中，并且半导体衬底具有第一半导体材料层；柱体，其形成在半导体衬底上，并且具有顺序层叠有沟道层和漏极的结构；栅极，其形成为包围柱体的周缘；以及第二半导体材料层，其构成源极的一部分、形成在源极和沟道层之间、具有与源极相同的导电类型、并且具有比第一半导体材料层更小的带隙。其中，源极和漏极具有相反的导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 晶体管 可变 电阻 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿晶体管，包括：半导体衬底，其具有形成在上部区域中的源极，并且包括第一半导体材料层；柱体，其形成在所述半导体衬底上，并且具有顺序层叠的沟道层和漏极；栅极，其形成为包围所述柱体；以及第二半导体材料层，其形成在所述源极和所述沟道层之间，所述第二半导体材料层具有与所述源极相同的导电类型，并且具有比所述第一半导体材料层更低的带隙，其中，所述源极和所述漏极具有彼此相反的导电类型。
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