[发明专利]低介电常数薄膜层的制备方法

摘要

本发明公开一种低介电常数薄膜层的制备方法，包括启动13.36MHz射频电源和匹配器；将八甲基环四硅氧烷28~32体积份、六甲基环三硅氧烷18~22体积份、环己烷28~32体积份和正己烷18~22体积份混合均匀并注入耐压不锈钢釜内，将鼓泡氮气、惰性气体分别从第一进气管、第二进气管注入从而将八甲基环四硅氧烷、环己烷带入炉体内，八甲基环四硅氧烷、环己烷、鼓泡氮气和惰性气体在等离子条件下在基底表面沉积一薄膜层；将已沉积的薄膜层转移至炉体的加热温区内，退火的条件为真空无气流，从而获得所述低介电常数薄膜层。本发明便捷精确调控薄膜介电常数值并获得了低介电常数值的薄膜层，化学成分更均匀，具有较好的热稳定性、硬度，提高了薄膜的平整度与可靠性。

主权项

 一种低介电常数薄膜层的制备方法，所述制备方法基于一沉积装置，其特征在于：所述沉积装置包括两端密封安装有端盖（2）的炉体（1）、位于炉体（1）一侧的液体源喷射机构（3），所述炉体（1）前半段缠绕有感应线圈（4），此感应线圈（4）依次连接到13.36MHz射频电源（5）和匹配器（6），所述液体源喷射机构（3）包括耐压不锈钢釜（7）、第一耐压混气罐（8）和第二耐压混气罐（9），此第一耐压混气罐（8）一端连接有均安装第一质量流量计（101）的第一进气管（111）、第二进气管（112），第一耐压混气罐（8）另一端与耐压不锈钢釜（7）一端通过安装有顶针阀（12）的管路连接，耐压不锈钢釜（7）另一端通过安装有顶针阀（12）、第一质量流量计（101）的管路连接到第一喷嘴（13）；所述第二耐压混气罐（9）一端连接有均安装第二质量流量计（102）的第三进气管（141），所述第二耐压混气罐（9）另一端连接到第二喷嘴（15），所述第一喷嘴（13）、第二喷嘴（15）密封地插入所述炉体一端的端盖从而嵌入炉体内；一真空泵（17）位于炉体（1）另一侧，连接所述真空泵（17）一端的管路密封地插入炉体（1）另一端的端盖（2）内，一手动挡板阀（19）、真空计（18）安装于端盖（2）和真空泵（17）之间的管路上，所述手动挡板阀（19）和真空计（18）之间设置有泄气阀（20）；包括以下步骤：步骤一、关闭顶针阀（12）和第一、第二质量流量计（101、102）后，打开手动挡板阀（19）和真空泵（17），抽除炉体（1）内气体；步骤二、当炉体（1）内真空度小于10^‑3Pa时，启动13.36MHz射频电源（5）和匹配器（6）；步骤三、开启第二质量流量计（102）后，将用于排净炉体内残存气体的排气氮气或者惰性气体从第三进气管（141）依次经过第二耐压混气罐（9）、第二喷嘴（15）送入炉体（1）内；（此气体在随后过程中不关闭，仅根据需要调节流量：）步骤四、将八甲基环四硅氧烷28~32体积份、六甲基环三硅氧烷18~22体积份、环己烷28~32体积份和正己烷18~22体积份混合均匀并注入所述耐压不锈钢釜（7）内，关闭手动挡板阀（19），将鼓泡氮气、惰性气体分别从第一进气管（111）、第二进气管（112）注入并依次经过第一耐压混气罐（8）、耐压不锈钢釜（7）、第一喷嘴（13）送入炉体（1）内，从而将八甲基环四硅氧烷、环己烷带入炉体（1）内，八甲基环四硅氧烷、环己烷、鼓泡氮气和惰性气体在等离子条件下在基底表面沉积一薄膜层；步骤五、沉积结束后，关闭13.36MHz射频电源（5）、匹配器（6）、顶针阀（12）和第一、第二质量流量计（101、102）后，关闭手动挡板阀（19），打开泄气阀（20），对炉体进行放气，待炉体内压力恢复至大气压，打开手动挡板阀（19），当炉体（1）内真空度小于10^‑3Pa时，将已沉积的薄膜层转移至炉体（1）的加热温区内，加热至300℃~800℃保温进行退火处理后，退火的条件为真空无气流，从而获得所述低介电常数薄膜层。