[发明专利]半导体发光元件

摘要

本发明提供一种使用不透明的半导体衬底形成金属反射层的高亮度的半导体光学元件。其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，该GaAs衬底结构具备GaAs层(3)、在GaAs层的表面上配置的第一金属缓冲层(2)、在第一金属缓冲层上配置的第一金属层(1)、在GaAs层的背面配置的第二金属缓冲层(4)和第二金属层(5)，该发光二极管结构配置在GaAs衬底上并具备第三金属层(12)、在第三金属层上配置的金属接触层(11)、在金属接触层上配置的p型包覆层(10)、在p型包覆层上配置的多重量子阱层(9)、在多重量子阱层上配置的n型包覆层(8)、在n型包覆层上配置的窗口层(7)，使用第一金属层(1)及第三金属层(12)，将GaAs衬底结构和发光二极管结构粘贴。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，由GaAs衬底和发光二极管结构构成，所述发光二极管结构具备：配置在所述GaAs衬底上的金属层、在所述金属层上配置且构图的金属接触层及绝缘层、配置在构图的所述金属接触层及所述绝缘层上的p型包覆层、配置在所述p型包覆层上的多重量子阱层、配置在所述多重量子阱层上的n型包覆层、配置在所述n型包覆层上的窗口层，使用所述金属层，将所述GaAs衬底和所述发光二极管结构粘贴，所述金属接触层以规定的图案结构按照规定的间隔配置，所述金属接触层的图案宽度为5μm～11μm，所述绝缘层的厚度与所述金属接触层相同，所述绝缘层具有构图的开口部，在所述绝缘层的所述开口部形成有所述金属接触层，所述金属接触层由含有Au的金属构成，所述多重量子阱层由将GaAs/GaAlAs层构成的异质结对层叠的多重量子阱构造构成，所述绝缘层相对于来自所述多重量子阱层的发光波长是透明的。