[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201410585136.3 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN104300007A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括在基板上形成栅极的图形、栅极绝缘层的图形、有源层的图形和源漏极的图形，其中，在所述基板上形成有源层的图形包括：在所述基板上形成第一有源层的图形和第二有源层的图形，所述第二有源层的图形位于所述第一有源层的图形与所述源漏极的图形之间，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率。本发明通过将有源层分为第一有源层和第二有源层，并使靠近源漏极的第二有源层的载流子迁移率小于第一有源层，从而能够有效抑制由于制作有源层的材料具有过大的迁移率对TFT关态电流和阈值电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，包括在基板上形成栅极的图形、栅极绝缘层的图形、有源层的图形和源漏极的图形，其特征在于，在所述基板上形成有源层的图形包括：在所述基板上形成第一有源层的图形和第二有源层的图形，所述第二有源层的图形位于所述第一有源层的图形与所述源漏极的图形之间，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率。
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