[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

目前，常用的平板显示面板包括LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示面板)和OLED(Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示面板，不管是LCD还是OLED显示面板，都包括阵列基板，阵列基板中包括多个呈阵列排布的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：简称TFT)构成的像素电路，每一像素电路对应一个子像素单元，薄膜晶体管作为显示面板像素的控制开关，直接关系到高性能平板显示面板的发展方向。

目前，阵列基板中的薄膜晶体管包括栅极、源漏极以及形成在源漏极与栅极之间的有源层，为提高显示面板的性能，需要尽量提高有源层的载流子迁移率，氮氧化锌(ZnON)材料具有很高的迁移率以及良好的TFT特性，是潜在的下一代TFT优良材料，然而，在使用氮氧化锌材料制作有源层时，由于该材料具有过大的迁移率，容易导致TFT关态电流(Ioff)过大和阈值电压(Vth)向负偏移大，造成TFT特性的严重劣化。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够抑制由于制作有源层的材料具有过大的迁移率对TFT关态电流和阈值电压的影响。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括在基板上形成栅极的图形、栅极绝缘层的图形、有源层的图形和源漏极的图形，其中，在所述基板上形成有源层的图形包括：

在所述基板上形成第一有源层的图形和第二有源层的图形，所述第二有源层的图形位于所述第一有源层的图形与所述源漏极的图形之间，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率。

进一步地，在所述基板上形成第一有源层的图形和第二有源层的图形包括：

在所述基板上形成金属氧化物半导体薄膜；

对所述金属氧化物半导体薄膜进行图形化处理；

对所述图形化处理后的金属氧化物半导体薄膜进行金属离子的浅层注入，所述金属氧化物半导体薄膜中注入金属离子的上层部分形成第二有源层，所述金属氧化物半导体薄膜中未注入金属离子的下层部分形成第一有源层。

进一步地，所述金属氧化物半导体薄膜的材料包括氮氧化锌，所述金属离子为镓离子、铝离子、锡离子、铪离子中的一种或多种。

进一步地，所述有源层的图形形成步骤位于所述栅极的图形、栅极绝缘层的图形形成步骤之后，所述源漏极的图形形成步骤位于所述有源层的图形形成步骤之后。

进一步地，在形成所述有源层的图形之后，形成所述源漏极的图形之前还包括：形成刻蚀阻挡层；

在形成所述源漏极的图形之后还包括：形成保护层。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种薄膜晶体管，包括基板以及所述基板上形成的栅极的图形、栅极绝缘层的图形、有源层的图形和源漏极的图形，其中，所述有源层的图形包括第一有源层的图形和第二有源层的图形，所述第二有源层的图形位于所述第一有源层的图形与所述源漏极的图形之间，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率。

进一步地，所述第一有源层为未注入金属离子的金属氧化物半导体材料，所述第二有源层为注入金属离子的金属氧化物半导体材料。

进一步地，所述金属氧化物半导体薄膜的材料包括氮氧化锌，所述金属离子为镓离子、铝离子、锡离子、铪离子中的一种或多种。

进一步地，所述栅极、栅极绝缘层位于所述基板与所述有源层之间，所述有源层位于所述源漏极与所述栅极绝缘层之间。

进一步地，还包括刻蚀阻挡层和保护层，所述刻蚀阻挡层位于所述源漏极中源极与漏极之间间隙对应的有源层上方，所述保护层位于所述源漏极上方。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板，其特征在于，包括上述任一的薄膜晶体管。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

(三)有益效果

本发明通过将有源层分为第一有源层和第二有源层，并使靠近源漏极的第二有源层的载流子迁移率小于第一有源层，从而能够有效抑制由于制作有源层的材料具有过大的迁移率对TFT关态电流(Ioff)和阈值电压(Vth)的影响。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的一种薄膜晶体管的制作方法的流程图；