[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管及其形成方法，晶体管的形成方法包括：提供硅衬底；在栅极结构两侧的硅衬底内形成凹槽，在所述凹槽内形成应力层，在形成应力层的步骤中，进行P型掺杂和碳掺杂，以形成源极和漏极，其中所述碳掺杂与所述P型掺杂同时进行或者所述碳掺杂在P型掺杂之前进行。应力层中掺杂的碳容易优先占据应力层与硅衬底的界面处的晶格间隙，在应力层中掺杂P型离子时，P型离子就不容易进入应力层与硅衬底的界面处的间隙位置，从而改善了应力层与硅衬底的界面处P型离子的含量分布，提高了应力层中的有效P型离子含量，使得应力层中的P型离子含量分布均匀，提高晶体管的性能。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的硅衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成应力层；在形成应力层的过程中进行P型掺杂和碳掺杂，以形成源极和漏极，所述碳掺杂与所述P型掺杂同时进行或者所述碳掺杂在P型掺杂之前进行，从而由碳占据应力层与衬底界面处的间隙位置，减少P型离子进入应力层与衬底界面处的间隙位置的情况；其中，应力层包括硅籽晶层、硅锗缓冲层和体硅锗层，在所述凹槽内在形成应力层的步骤包括：在凹槽中外延生长硅籽晶层，在外延生长硅籽晶层的过程中，通入碳源气体，所述硅籽晶层的材料为纯硅、或者包含低含量锗的硅；在所述硅籽晶层上外延生长硅锗层，硅锗层包括硅锗缓冲层和体硅锗层，所述硅锗缓冲层中的锗含量低于体硅锗层中的锗含量，在外延生长硅锗缓冲层的过程中，同时通入碳源气体和硼源气体。