[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的硅衬底内形成凹槽；

在所述凹槽内形成应力层；在形成应力层的过程中进行P型掺杂和碳掺杂，以形成源极和漏极，所述碳掺杂与所述P型掺杂同时进行或者所述碳掺杂在P型掺杂之前进行，从而由碳占据应力层与衬底界面处的间隙位置，减少P型离子进入应力层与衬底界面处的间隙位置的情况；

其中，应力层包括硅籽晶层、硅锗缓冲层和体硅锗层，在所述凹槽内在形成应力层的步骤包括：

在凹槽中外延生长硅籽晶层，在外延生长硅籽晶层的过程中，通入碳源气体，所述硅籽晶层的材料为纯硅、或者包含低含量锗的硅；

在所述硅籽晶层上外延生长硅锗层，硅锗层包括硅锗缓冲层和体硅锗层，所述硅锗缓冲层中的锗含量低于体硅锗层中的锗含量，在外延生长硅锗缓冲层的过程中，同时通入碳源气体和硼源气体。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，

在外延生长体硅锗层的步骤中通入硼源气体，以在体硅锗层中原位掺杂硼。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在外延生长体硅锗层的步骤中同时通入硼源气体和碳源气体，以在体硅锗层中原位掺杂硼和碳；

或者，

进行P型离子掺杂和碳掺杂的步骤包括：在外延生长体硅锗层的步骤中先通入碳源气体，在体硅锗层中原位掺杂碳，再通入硼源气体，在体硅锗层中原位掺杂硼。

4.根据权利要求1至3任意一项权利要求所述的形成方法，其特征在于，在原位掺杂碳的过程中，所述碳源气体包括甲基硅烷气体。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述甲基硅烷气体的流量在10sccm到500sccm的范围内。

6.根据权利要求1至3中任意一项权利要求所述的形成方法，其特征在于，形成应力层的过程中，外延生长工艺的温度在580摄氏度到700摄氏度的范围内。

7.根据权利要求1至3中任意一项权利要求所述的形成方法，其特征在于，形成应力层的过程中，腔室气压在5torr到30torr的范围内。

8.根据权利要求1至3中任意一项权利要求所述的形成方法，其特征在于，所述硼源气体包括B₂H₆气体，所述B₂H₆气体的流量在0sccm到1000sccm的范围内。

9.根据权利要求1至3中任意一项权利要求所述的形成方法，其特征在于，在采用外延生长工艺形成硅锗层的步骤中，通入包括硅源气体和锗源气体的反应气体，以外延生长硅锗层；

所述硅源气体包括SiH₄气体，所述锗源气体包括GeH₄，所述反应气体还包括H₂气体、HCI气体和DCS气体中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在外延生长硅锗缓冲层的步骤中，通入硼源气体的流量随外延生长的进行逐渐增大，以使硅锗缓冲层中的硼含量随厚度增大而增加。