[发明专利]闪存单元及闪存装置在审
| 申请号： | 201410558410.8 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104409460A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 郝宁;孟祥鹤;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存单元及闪存装置，所述闪存单元包括：衬底；位于衬底上的第一介质层；位于第一介质层上、具有多个浮栅的浮栅层；所述多个浮栅中相邻浮栅间的隔离层；位于浮栅层上的第二介质层；位于包含第一介质层/浮栅层/第二介质层的三层堆叠结构上的控制栅层；包裹第一介质层/浮栅层/第二介质层/控制栅层的四层堆叠结构的外介质层；以及位于所述三层堆叠结构两侧的源区和漏区。本发明提升了闪存单元本身的抗单粒子效应的能力，应用于存储器抗辐照加固领域及存储领域。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 装置 | ||
【主权项】：
一种闪存单元，包括：衬底；位于衬底上的第一介质层；位于第一介质层上、具有多个浮栅的浮栅层；所述多个浮栅中相邻浮栅间的隔离层；位于浮栅层上的第二介质层；位于包含第一介质层/浮栅层/第二介质层的三层堆叠结构上的控制栅层；包裹第一介质层/浮栅层/第二介质层/控制栅层的四层堆叠结构的外介质层；以及位于所述三层堆叠结构两侧的源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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