[发明专利]一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置

摘要

本发明公开了一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，包括进气口和反应室，所述反应室上方设有顶盖，进气口竖向贯穿于顶盖，反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构；反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座的外径小于腔体的内径，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为排气通道；衬底承载座侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，其与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构。本发明极大地抑制了反应室的气体向上翻滚形成的涡流，提高了高速旋转的衬底承载座附近气场的稳定性；倒圆角流线型设计缩小并优化了承载座与腔体内壁间的距离,使得由反应室进入排气通道中的气体不易向上翻滚,进一步提高了反应室气流的稳定性和薄膜生长的均匀性。

主权项

一种制备半导体外延片的MOCVD反应装置，所述反应装置为腔体结构，包括进气口、反应室和排气通道，所述反应室下方设有可轴向旋转的衬底承载座，衬底承载座底部设有加热装置，其特征在于，所述反应室上方设有顶盖，所述进气口竖向贯穿于所述顶盖，所述反应室的侧壁向内凹陷形成内凹环形结构，所述内凹环形结构从反应室上下两端向中间的曲率逐渐增大；所述衬底承载座的外径小于所述腔体结构的内径，所述衬底承载座侧壁与所述腔体结构内壁之间的距离为15‑25mm，衬底承载座与腔体结构内壁之间的空隙形成为所述排气通道，排气通道与反应室连通；衬底承载座的侧壁与其上边沿的连接处呈倒圆角结构，所述倒圆角结构与腔体结构的内壁形成Y形漏斗结构，所述Y形漏斗结构的中心轴线与水平面之间的夹角范围为30°‑50°。