[发明专利]一种发光二极管的生长方法及发光二极管在审
| 申请号： | 201410542946.0 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN104362237A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;韩杰;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的生长方法及发光二极管，属于半导体技术领域。所述方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、高温有源层、低温有源子层、P型层；生长低温有源子层，包括：生长低温InGaN阱层，低温InGaN阱层生长温度低于高温InGaN阱层生长温度；开启N源和In源，形成InN；关闭In源和开启Ga源，形成GaN，并且之前形成的InN渗入GaN中生成低温InGaN垒层；开启Al源，在低温InGaN垒层上生长AlGaN垒层，低温InGaN垒层和AlGaN垒层生长温度低于高温GaN垒层生长温度。本发明降低了工艺难度和风险，提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层；在所述N型层上交替生长高温InGaN阱层和高温GaN垒层，形成高温有源层；在所述高温有源层上生长若干层低温有源子层，形成低温有源层；在所述低温有源层上生长P型层；其中，生长每层所述低温有源子层，包括：生长低温InGaN阱层，所述低温InGaN阱层的生长温度低于所述高温InGaN阱层的生长温度；开启N源和In源，形成InN；关闭In源并开启Ga源，形成GaN，并且之前形成的InN渗入所述GaN中生成低温InGaN垒层，所述低温InGaN垒层的生长温度低于所述高温GaN垒层的生长温度；开启Al源，在所述低温InGaN垒层上生长AlGaN垒层，所述AlGaN垒层的生长温度低于所述高温GaN垒层的生长温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(苏州）有限公司，未经华灿光电(苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410542946.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
