[发明专利]一种发光二极管的生长方法及发光二极管在审
| 申请号： | 201410542946.0 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN104362237A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;韩杰;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层；
在所述N型层上交替生长高温InGaN阱层和高温GaN垒层，形成高温有源层；
在所述高温有源层上生长若干层低温有源子层，形成低温有源层；
在所述低温有源层上生长P型层；
其中，生长每层所述低温有源子层，包括：
生长低温InGaN阱层，所述低温InGaN阱层的生长温度低于所述高温InGaN阱层的生长温度；
开启N源和In源，形成InN；
关闭In源并开启Ga源，形成GaN，并且之前形成的InN渗入所述GaN中生成低温InGaN垒层，所述低温InGaN垒层的生长温度低于所述高温GaN垒层的生长温度；
开启Al源，在所述低温InGaN垒层上生长AlGaN垒层，所述AlGaN垒层的生长温度低于所述高温GaN垒层的生长温度。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述高温InGaN阱层的生长温度为780-820℃，所述高温GaN垒层的生长温度为890-940℃。
3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述高温InGaN阱层的厚度为1-3nm，所述高温GaN垒层的厚度为10-12nm。
4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述高温InGaN阱层的层数为4-10，所述高温GaN垒层的层数为4-10。
5.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述低温InGaN阱层的生长温度为760-790℃，所述低温InGaN垒层和所述AlGaN垒层的生长温度为880-930℃。
6.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述低温InGaN阱层的厚度为2-3.5nm，所述低温InGaN垒层和所述AlGaN垒层的厚度之和为8-10nm。
7.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述低温有源子层的层数为8-14。
8.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、P型层，其特征在于，在所述N型层和所述P型层之间依次生长高温有源层、低温有源层，所述高温有源层由交替生长的高温InGaN阱层和高温GaN垒层形成，所述低温有源层由若干层低温有源子层形成，每层所述低温有源子层包括依次层叠的低温InGaN阱层、低温InGaN垒层、AlGaN垒层，所述低温InGaN阱层的生长温度低于所述高温InGaN阱层的生长温度，所述低温InGaN垒层是由先形成的InN渗入后形成的GaN中生成的，所述低温InGaN垒层的生长温度和所述AlGaN垒层的生长温度均低于所述高温GaN垒层的生长温度。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述高温InGaN阱层的生长温度为780-820℃，所述高温GaN垒层的生长温度为890-940℃。
10.根据权利要求8或9所述的发光二极管，其特征在于，所述低温InGaN阱层的生长温度为760-790℃，所述低温InGaN垒层和所述AlGaN垒层的生长温度为880-930℃。
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