[发明专利]恒流二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410542544.0 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105576040B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种恒流二极管及其制造方法，该恒流二极管包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层；位于所述外延层中并与所述外延层背向所述衬底层的表面相贴的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，所述外延层背向所述衬底层的表面上设有与所述第一掺杂区及所述第三掺杂区对应的凹槽；其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为P型且所述第二掺杂区的掺杂类型为N型，或者，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为N型且所述第二掺杂区的掺杂类型为P型。本发明可以减小恒流二极管耗尽区处的结电容，同时不对器件的其他性能造成很大影响。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种恒流二极管，其特征在于，包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层；位于所述外延层中并与所述外延层背向所述衬底层的表面相贴的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，所述外延层背向所述衬底层的表面上设有与所述第一掺杂区及所述第三掺杂区对应的凹槽；在所述外延层上形成包括注入阻挡层的图形，所述注入阻挡层中设有第一开口部与第二开口部；在所述注入阻挡层的阻挡下注入离子，形成分别与所述第一开口部和所述第二开口部对应的第一掺杂区和第三掺杂区；在所述第一开口部和所述第二开口部的内边缘处形成侧墙，形成包括注入阻挡层和侧墙的刻蚀阻挡层，所述侧墙以低压力化学气相沉积氮化硅的方式形成；在所述刻蚀阻挡层阻挡下于所述第一开口部和所述第二开口部处以刻蚀工艺形成凹槽；其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为P型，所述第二掺杂区的掺杂类型为N型，或者，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为N型，所述第二掺杂区的掺杂类型为P型。
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