[发明专利]恒流二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种恒流二极管，其特征在于，包括：

衬底层；

位于所述衬底层上的外延层；

位于所述外延层中并与所述外延层背向所述衬底层的表面相贴的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，所述外延层背向所述衬底层的表面上设有与所述第一掺杂区及所述第三掺杂区对应的凹槽；

在所述外延层上形成包括注入阻挡层的图形，所述注入阻挡层中设有第一开口部与第二开口部；在所述注入阻挡层的阻挡下注入离子，形成分别与所述第一开口部和所述第二开口部对应的第一掺杂区和第三掺杂区；

在所述第一开口部和所述第二开口部的内边缘处形成侧墙，形成包括注入阻挡层和侧墙的刻蚀阻挡层，所述侧墙以低压力化学气相沉积氮化硅的方式形成；在所述刻蚀阻挡层阻挡下于所述第一开口部和所述第二开口部处以刻蚀工艺形成凹槽；

其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为P型，所述第二掺杂区的掺杂类型为N型，

或者，

所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为N型，所述第二掺杂区的掺杂类型为P型。

2.根据权利要求1所述的恒流二极管，其特征在于，所述第一开口部的内边缘处两侧墙之间的距离与所述第一掺杂区对应凹槽的宽度一致；所述第二开口部的内边缘处两侧墙之间的距离与所述第三掺杂区对应凹槽的宽度一致。

3.根据权利要求1至2中任意一项所述的恒流二极管，其特征在于，所述外延层采用轻掺杂的半导体材料形成，且掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同；所述衬底层采用重掺杂的半导体材料形成，且掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。

4.一种恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底层上形成外延层；

在所述外延层上形成包括注入阻挡层的图形，所述注入阻挡层中设有第一开口部与第二开口部；

在所述注入阻挡层的阻挡下注入离子，形成分别与所述第一开口部和所述第二开口部对应的第一掺杂区和第三掺杂区；

在所述第一开口部和所述第二开口部的内边缘处形成侧墙，形成包括注入阻挡层和侧墙的刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层阻挡下于所述第一开口部和所述第二开口部处以刻蚀工艺形成凹槽；

在所述第一掺杂区和第三掺杂区之间注入离子，形成第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为P型，所述第二掺杂区的掺杂类型为N型，

或者，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为N型，所述第二掺杂区的掺杂类型为P型。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一掺杂区和第三掺杂区之间注入离子，形成第二掺杂区的步骤，包括：

去除所述包括注入阻挡层和侧墙的刻蚀阻挡层；

形成包括光刻胶层的图形，所述光刻胶层对应于所述第一掺杂区和第三掺杂区之间的位置设有开口图形；

在所述光刻胶层的阻挡下于所述开口图形处注入离子，形成第二掺杂区；

剥离所述光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一开口部和所述第二开口部的内边缘处形成侧墙，形成包括注入阻挡层和侧墙的刻蚀阻挡层的步骤，包括：

在所述外延层和所述注入阻挡层上以低压力化学气相沉积的方式形成一氮化硅层；

以光刻工艺刻蚀所述氮化硅层，形成在所述第一开口部和所述第二开口部的内边缘处的侧墙。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一开口部的内边缘处两侧墙之间的距离与所述第一掺杂区对应凹槽的宽度一致；所述第二开口部的内边缘处两侧墙之间的距离与所述第三掺杂区对应凹槽的宽度一致。

8.根据权利要求4至6中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述外延层采用轻掺杂的半导体材料形成，且掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同；所述衬底层采用重掺杂的半导体材料形成，且掺杂类型与所述第二掺杂区的掺杂类型相同。