[发明专利]在封装结构的间断上的电绝缘的热接口结构有效
| 申请号： | 201410542356.8 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN104576551B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | E·富尔古特;M·门格尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造电子半导体壳体(400)的方法，其中，在该方法中将电子芯片(100)与载体(102)耦合，通过封装结构(200)至少部分地封装电子芯片(100)和部分地封装载体(102)，该封装结构具有间断(300)，通过电绝缘的热接口结构(402)覆盖间断(300)和连接到该间断的体积的至少一部分，该体积邻接载体(102)的裸露的表面部分(302)，该热接口结构相对于外部环境电解耦载体(102)的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 间断 绝缘 接口 | ||
【主权项】：
1.用于制造电子半导体壳体(400)的方法，其中，所述方法具有：‑将电子芯片(100)与载体(102)耦合；‑通过封装结构(200)至少部分地封装所述电子芯片(100)并且部分地封装所述载体(102)，所述封装结构具有间断(300)；‑通过电绝缘的热接口结构(402)覆盖所述间断(300)和连接到所述间断的体积的至少一部分，所述体积邻接所述载体(102)的裸露的表面部分(302)，所述热接口结构相对于外部环境电解耦所述载体(102)的至少一部分；‑其中，所述间断(300)是环形的间断，所述环形的间断广泛地围绕电的载体(102)的所述表面部分(302)，并且延伸进入所述封装结构(200)，所述间断(300)具有多个侧壁，所述多个侧壁相对于在所述封装结构(200)中的竖直的延伸倾斜了在5°和35°之间的范围的角度(α)。
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