[发明专利]双顶层选择栅极3DNAND闪存存储器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种DUSG 3D NAND闪存存储器及其形成方法，该方法包括提供衬底；形成底层隔离层和底层选择管栅极层；交替形成多组存储管隔离层和存储管栅极层；形成顶层隔离层；形成多个顶层选择管下栅极条和多个顶层选择管下隔离条；形成夹间隔离层；形成多个顶层选择管上隔离条和多个顶层选择管上栅极条，其中，多个顶层选择管上隔离条与多个顶层选择管下栅极条分别对齐，多个顶层选择管上栅极条与上述多个顶层选择管下隔离条分别对齐；刻蚀形成多组垂直孔；在垂直孔的内表面上沉积形成电荷俘获复合层，然后填充形成柱状衬底；对各个栅极形成金属引线，形成位线和源线。本发明的方法形成的DUSG 3D NAND闪存存储器具有工艺简单、存储密度高等优点。

主权项

一种双顶层选择栅极3D NAND闪存存储器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供衬底；S2.形成底层隔离层和底层选择管栅极层；S3.交替形成多组存储管隔离层和存储管栅极层；S4.形成顶层隔离层，所述顶层隔离层的顶表面包括交错出现的多个第一条形区域和多个第二条形区域；S5.在所述多个第一条形区域之上形成多个顶层选择管下栅极条，以及在所述多个第二条形区域之上形成多个顶层选择管下隔离条；S6.在所述多个顶层选择管下栅极条与所述多个顶层选择管下隔离条之上形成夹间隔离层；S7.在所述夹间隔离层之上形成多个顶层选择管上隔离条和多个顶层选择管上栅极条，其中，所述多个顶层选择管上隔离条与所述多个顶层选择管下栅极条分别对齐，所述多个顶层选择管上栅极条与上述多个顶层选择管下隔离条分别对齐；S8.刻蚀形成多组垂直孔，所述多个垂直孔的底部与所述衬底接触，每组所述垂直孔穿经同一个所述顶层选择管上栅极条或者顶层选择管下栅极条；S9.在所述垂直孔的内表面上沉积形成电荷俘获复合层，然后填积多晶硅以形成柱状衬底；S10.对所述底层选择管栅极层、多层所述存储管栅极层、多个所述顶层选择管下栅极条以及多个所述顶层选择管上栅极条分别形成金属引线，形成与多个所述柱状衬底顶部分别相连的多条位线，以及形成与所述衬底底部相连的源线。