[发明专利]MEMS和CMOS集成芯片及传感器在审
| 申请号： | 201410528138.9 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105565251A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 付世;郭梅寒 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS和CMOS集成芯片及传感器，包括：第一衬底、第二衬底，以及，位于第一衬底和第二衬底之间的机械结构层；其中，第一衬底形成有第一CMOS结构，第二衬底形成有第二CMOS结构，机械结构层形成有第一MEMS结构，且第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接。本发明提供的技术方案将CMOS结构分为两部分，分别形成于第一衬底和第二衬底上，而后通过微机械结构层将两部分的CMOS结构电性连接，有效的缩小了CMOS结构的占用集成芯片的面积，进而缩小了MEMS和CMOS集成芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | mems cmos 集成 芯片 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS和CMOS集成芯片，其特征在于，包括：第一衬底、第二衬底，以及，位于所述第一衬底和第二衬底之间的机械结构层；其中，所述第一衬底形成有第一CMOS结构，所述第二衬底形成有第二CMOS结构，所述机械结构层形成有第一MEMS结构，且所述第一CMOS结构、第二CMOS结构和MEMS结构之间电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深迪半导体（上海）有限公司，未经深迪半导体（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410528138.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
