[发明专利]一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法

摘要

本发明提供了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,属于半导体材料清洗技术领域，包括操作室、上料台和下料台，上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QRD氮气保护装置。本发明还公开了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗方法。本发明能够完成直径140‑160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量和成晶率。

主权项

一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，其特征在于：所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头,所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置,所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。