[发明专利]防止钨腐蚀的晶圆清洗方法有效
| 申请号： | 201410499268.4 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105448658B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 黄永彬;王永刚;李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止钨腐蚀的晶圆清洗方法，用于在采用干法刻蚀工艺形成与晶圆表面的钨塞相连的金属导电图案，并剥离光阻的步骤之后，其中，所述防止钨腐蚀的晶圆清洗方法至少包括：采用钝化液对所述晶圆进行钝化预处理，以使所述晶圆表面未被所述金属导电图案覆盖的钨表面形成钝化层。如上所述，本发明的防止钨腐蚀的晶圆清洗方法，具有以下有益效果：通过对晶圆表面进行钝化预处理，从而在钨的表面形成一层钝化层，可以有效的防止电化学反应发生，防止钨腐蚀，避免通孔中的钨缺失，从而避免电路失效，提高了晶圆的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆清洗 腐蚀 晶圆表面 钝化预处理 导电图案 晶圆 表面形成钝化层 干法刻蚀工艺 金属 电化学反应 表面形成 电路失效 钝化层 钝化液 钨缺失 光阻 良率 通孔 钨塞 剥离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种防止钨腐蚀的晶圆清洗方法，用于在采用干法刻蚀工艺形成与晶圆表面的钨塞相连的金属导电图案，并剥离光阻的步骤之后，其特征在于，所述防止钨腐蚀的晶圆清洗方法至少包括：采用钝化液对所述晶圆进行钝化预处理，以使所述晶圆表面未被所述金属导电图案覆盖的钨表面形成钝化层；其中，所述钝化预处理的具体方法为：在22℃～24℃的温度下，将所述晶圆倒置于所述钝化液中，并静置10min～15min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
