[发明专利]电子装置及其制造方法有效
申请号: | 201410487480.9 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN104217939B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 吴怡君;许世华;黄祺瑾;陈嘉祥 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种电子装置的制造方法,其包括以下步骤。首先,提供凹版,上述凹版具有凹陷图案。接着,在凹版的凹陷图案内填入纳米导电材料。接着,在凹版上形成树脂层,且在树脂层上设置基板,其中树脂层与纳米导电材料之间的黏着力大于纳米导电材料与凹版之间的黏着力。然后,进行剥离程序,以使得纳米导电材料自凹版脱离,以于基板上形成导电图案,且导电图案以及基板之间具有树脂层。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电子装置的制造方法,其特征在于,包括:提供一凹版,该凹版具有一凹陷图案;在该凹版的该凹陷图案内形成一纳米导电材料;在该凹版上形成一树脂层,且在该树脂层上设置一基板,其中该树脂层与该纳米导电材料之间的黏着力大于该纳米导电材料与该凹版之间的黏着力;以及进行一剥离程序,以使得该纳米导电材料自该凹版脱离,以于该基板上形成一导电图案,且该导电图案以及该基板之间具有该树脂层,在进行该剥离程序之后,该树脂层具有一凹陷部以及相对于该凹陷部的一凸起部,且该导电图案位于该凸起部上;其中,在进行该烧结程序之后,该凹版的该凹陷图案内的该纳米导电材料的厚度小于该凹版的该凹陷图案的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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