[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一凹版，该凹版具有一凹陷图案；

在该凹版的该凹陷图案内形成一纳米导电材料；

在该凹版上形成一树脂层，且在该树脂层上设置一基板，其中该树脂层与该纳米导电材料之间的黏着力大于该纳米导电材料与该凹版之间的黏着力；以及

进行一剥离程序，以使得该纳米导电材料自该凹版脱离，以于该基板上形成一导电图案，且该导电图案以及该基板之间具有该树脂层。

2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在进行该剥离程序之后，该树脂层具有一凹陷部以及相对于该凹陷部的一凸起部，且该导电图案位于该凸起部上。

3.根据权利要求2所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该树脂层的该凸起部与该凹版的该凹陷图案一致。

4.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在该凹版的该凹陷图案内形成该纳米导电材料，包括：

制备一纳米导电材料溶液，其中该纳米导电材料溶液包括一溶剂以及分散于该溶剂中的该纳米导电材料；

将该纳米导电材料溶液填入该凹版的该凹陷图案内；以及

移除该溶剂，以于该凹版的该凹陷图案内形成该纳米导电材料。

5.根据权利要求4所述的电子装置的制造方法，其特征在于，移除该溶剂的方法包括进行一烧结程序，以使该纳米导电材料溶液的该溶剂挥发，以于该凹版的该凹陷图案内形成该纳米导电材料。

6.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在进行该烧结程序之后，该凹版的该凹陷图案内的该纳米导电材料的厚度小于该凹版的该凹陷图案的深度。

7.根据权利要求4所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该纳米导电材料包括纳米金属丝、纳米金属颗粒或是纳米金属网状结构。

8.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该基板包括一有机材料基板，该凹版为一无机材料凹版。

9.根据权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该基板为一空白基板或一偏光板。

10.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在该凹版上形成该树脂层且在该树脂层上设置该基板之后，更包括对该树脂层进行一熟化程序。

11.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在进行该剥离程序之后，更包括在该基板上形成一平坦层，该导电图案位于该平坦层与该树脂层的该凸起部之间，且该平坦层填入该树脂层的该凹陷部。

12.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法，其特征在于，该平坦层的折射率与该树脂层的折射率的差异小于15％。

13.一种电子装置，其特征在于，包括：

一基板；

一树脂层，位于该基板上，其中该树脂层具有一凹陷部以及相对于该凹陷部的一凸起部；以及

一导电图案，位于该树脂层的该凸起部上。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，该导电图案包括纳米金属丝、纳米金属颗粒或是纳米金属网状结构。

15.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，该基板包括一有机材料基板。

16.根据权利要求15所述的电子装置，其特征在于，该基板为一空白基板或一偏光板。

17.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，更包括一平坦层，该导电图案位于该平坦层与该树脂层的该凸起部之间，且该平坦层填入该树脂层的该凹陷部。

18.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，该平坦层的折射率与该树脂层的折射率的差异小于15％。