[发明专利]电子装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子装置及其制造方法，且特别是有关于一种可应用于触控面板的电子装置及其制造方法。

背景技术

习知应用于透明电极的纳米银线(Ag NW)图案化方法主要是使用湿式蚀刻法或激光蚀刻法。湿式蚀刻法需先涂布整面的膜层，再经过黄光工艺，其不仅步骤繁复且浪费材料。此外，纳米银线不易被蚀刻，而可能导致纳米银线的残留物。激光蚀刻法则在大面积上处理费时且成本昂贵。因此，亟需一种可简化形成导电图案的工艺并可节省制造成本的制造方法。

发明内容

本发明提供一种电子装置的制造方法，其可简化形成导电图案的工艺，并可节省制造成本。

本发明还提供一种电子装置，其可同时具有良好的穿透率与导电性。

本发明的电子装置的制造方法包括以下步骤。首先，提供凹版，上述凹版具有凹陷图案。接着，在凹版的凹陷图案内填入纳米导电材料。接着，在凹版上形成树脂层，且在树脂层上设置基板，其中树脂层与纳米导电材料之间的黏着力大于纳米导电材料与凹版之间的黏着力。然后，进行剥离程序，以使得纳米导电材料自凹版脱离，以于基板上形成导电图案，且导电图案以及基板之间具有树脂层。

其中，在进行该剥离程序之后，该树脂层具有一凹陷部以及相对于该凹陷部的一凸起部，且该导电图案位于该凸起部上。

其中，该树脂层的该凸起部与该凹版的该凹陷图案一致。

其中，在该凹版的该凹陷图案内形成该纳米导电材料，包括：

制备一纳米导电材料溶液，其中该纳米导电材料溶液包括一溶剂以及分散于该溶剂中的该纳米导电材料；

将该纳米导电材料溶液填入该凹版的该凹陷图案内；以及

移除该溶剂，以于该凹版的该凹陷图案内形成该纳米导电材料。

其中，移除该溶剂的方法包括进行一烧结程序，以使该纳米导电材料溶液的该溶剂挥发，以于该凹版的该凹陷图案内形成该纳米导电材料。

其中，在进行该烧结程序之后，该凹版的该凹陷图案内的该纳米导电材料的厚度小于该凹版的该凹陷图案的深度。

其中，该纳米导电材料包括纳米金属丝、纳米金属颗粒或是纳米金属网状结构。

其中，该基板包括一有机材料基板，该凹版为一无机材料凹版。

其中，该基板为一空白基板或一偏光板。

其中，在该凹版上形成该树脂层且在该树脂层上设置该基板之后，更包括对该树脂层进行一熟化程序。

其中，在进行该剥离程序之后，更包括在该基板上形成一平坦层，该导电图案位于该平坦层与该树脂层的该凸起部之间，且该平坦层填入该树脂层的该凹陷部。

其中，该平坦层的折射率与该树脂层的折射率的差异小于15％。

本发明的电子装置包括基板、树脂层以及导电图案。树脂层位于基板上，其中树脂层具有凹陷部以及相对于凹陷部的凸起部。导电图案位于树脂层的凸起部上。

其中，该导电图案包括纳米金属丝、纳米金属颗粒或是纳米金属网状结构。

其中，该基板包括一有机材料基板。

其中，该基板为一空白基板或一偏光板。

其中，更包括一平坦层，该导电图案位于该平坦层与该树脂层的该凸起部之间，且该平坦层填入该树脂层的该凹陷部。

其中，该平坦层的折射率与该树脂层的折射率的差异小于15％。

基于上述，本发明的电子装置的制造方法可简化于电子装置中形成导电图案的工艺，并可节省制造成本。此外，由所述制造方法制得的电子装置可同时具有良好的穿透率与导电性。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A至图1H是依照本发明的一实施例的电子装置的制造方法的剖面示意图。

图2是本发明的一实验例的电子装置与对照组的电子装置的穿透率示意图。

10：电子装置

100：凹版

120：凹陷图案

140：凸起图案

200：纳米导电材料

200a：导电图案

300：树脂层

320：凹陷部

340：凸起部

400：基板

500：紫外光

600：平坦层

H、H1：深度

W：宽度

d：距离

具体实施方式