[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201410458379.0 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105470289B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;王焜;石金成;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，方法包括：依次在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层；在所述阻挡层下方形成硅槽，以使阻挡层中靠近镂空区域的一端悬空在硅槽上方；在第一氮化硅层和硅槽的表面形成第二氧化层，且在阻挡层悬空端下方形成氮化硅区；在该氮化硅区周围的第二氧化层表面进行氧化，以在硅槽中形成侧壁为斜面的场氧化层；在硅片的表面形成与场氧化层齐平的栅氧化层。本发明提供的半导体器件的制造方法及半导体器件能够提高半导体器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层，镂空区域与所述漂移区中待形成第一硅槽区域对应；所述阻挡层包括第一氧化层和第一氮化硅层，所述第一氧化层设置在所述第一氮化硅层与硅片之间；在所述待形成第一硅槽区域形成第一硅槽，并在所述第一硅槽的侧壁形成第二硅槽，所述阻挡层中靠近所述镂空区域的部分悬空在所述第二硅槽上方；所述第一硅槽和第二硅槽连通，构成硅槽；在所述第一氮化硅层和硅槽的表面形成第二氧化层；在所述阻挡层悬空端与所述悬空端下方的第二氧化层之间形成氮化硅区；采用炉管工艺在所述氮化硅区外围的第一氧化层和第二氧化层进行氧化，以在所述硅槽中形成侧壁为斜面的场氧化层，所述场氧化层的表面高于所述漂移区表面；去除所述阻挡层和所述氮化硅区；在所述硅片的表面中除场氧化层表面之外的其余部分形成栅氧化层，所述栅氧化层的表面与所述场氧化层的表面齐平；在所述栅氧化层和场氧化层的表面形成场板；分别在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区，以形成所述半导体器件。
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