[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，其中，方法包括：依次在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层；在所述阻挡层下方形成硅槽，以使阻挡层中靠近镂空区域的一端悬空在硅槽上方；在第一氮化硅层和硅槽的表面形成第二氧化层，且在阻挡层悬空端下方形成氮化硅区；在该氮化硅区周围的第二氧化层表面进行氧化，以在硅槽中形成侧壁为斜面的场氧化层；在硅片的表面形成与场氧化层齐平的栅氧化层。本发明提供的半导体器件的制造方法及半导体器件能够提高半导体器件的击穿电压。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术，尤其涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。

背景技术

横向高压半导体器件通常包括横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和横向绝缘栅双极型晶体管，其中，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的应用最为广泛，是功率集成电路中常用的器件。功率集成电路的稳定性与横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的各项电性参数的关系非常密切，若晶体管的某种电性参数达不到要求则直接影响了功率集成电路的运行。

击穿电压是横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管最重要的电性参数之一，在不影响其它电性参数的前提下，击穿电压越大越好。目前，本领域通常采用硅局部氧化工艺来制造横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其制造方法包括如下几个步骤：首先，在硅衬底的表面制作体区和漂移区，在漂移区的表面制作场氧化层，将场氧化层覆盖的区域称为场区，未覆盖的区域称为有源区。然后在有源区表面制作栅氧化层，栅氧化层的高度低于场氧化层，且在场氧化层的两端形成过渡斜面。在栅氧化层、部分场氧化层以及过渡斜面上形成场板。

在经过上述方法形成的晶体管中，过渡斜面称为“鸟嘴”，多个方向的电场线集中到鸟嘴区域，使得该区域的电场强度较强，最容易发生击穿，因此，由于鸟嘴的存在，使得晶体管整体的击穿电压较低。

发明内容

本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，用于提高半导体器件的击穿电压。

本发明实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括：

在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层，镂空区域与所述漂移区中待形成第一硅槽区域对应；所述阻挡层包括第一氧化层和第一氮化硅层，所述第一氧化层设置在所述第一氮化硅层与硅片之间；

在所述待形成第一硅槽区域形成第一硅槽，并在所述第一硅槽的侧壁形成第二硅槽，所述阻挡层中靠近所述镂空区域的部分悬空在所述第二硅槽上方；所述第一硅槽和第二硅槽连通，构成硅槽；

在所述第一氮化硅层和硅槽的表面形成第二氧化层；

在所述阻挡层悬空端与所述悬空端下方的第二氧化层之间形成氮化硅区；

采用炉管工艺在所述氮化硅区外围的第一氧化层和第二氧化层进行氧化，以在所述硅槽中形成侧壁为斜面的场氧化层；

去除所述阻挡层和所述氮化硅区；

在所述硅片的表面中除场氧化层表面之外的其余部分形成栅氧化层，所述栅氧化层的表面与所述场氧化层的表面齐平；

在所述栅氧化层和场氧化层的表面形成场板；

分别在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区，以形成所述半导体器件。

如上所述的半导体器件的制造方法，在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层，镂空区域与所述漂移区中待形成第一硅槽区域对应；所述阻挡层包括第一氧化层和第一氮化硅层，所述第一氧化层设置在所述第一氮化硅层与硅片之间，包括：

依次在形成有体区和漂移区的硅片表面形成第一氧化层和第一氮化硅层；

将所述漂移区中待形成第一硅槽区域表面的第一氧化层和第一氮化硅层去除，剩余的第一氧化层和第一氮化硅层构成镂空的阻挡层。