[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层，镂空区域与所述漂移区中待形成第一硅槽区域对应；所述阻挡层包括第一氧化层和第一氮化硅层，所述第一氧化层设置在所述第一氮化硅层与硅片之间；

在所述待形成第一硅槽区域形成第一硅槽，并在所述第一硅槽的侧壁形成第二硅槽，所述阻挡层中靠近所述镂空区域的部分悬空在所述第二硅槽上方；所述第一硅槽和第二硅槽连通，构成硅槽；

在所述第一氮化硅层和硅槽的表面形成第二氧化层；

在所述阻挡层悬空端与所述悬空端下方的第二氧化层之间形成氮化硅区；

采用炉管工艺在所述氮化硅区外围的第一氧化层和第二氧化层进行氧化，以在所述硅槽中形成侧壁为斜面的场氧化层，所述场氧化层的表面高于所述漂移区表面；

去除所述阻挡层和所述氮化硅区；

在所述硅片的表面中除场氧化层表面之外的其余部分形成栅氧化层，所述栅氧化层的表面与所述场氧化层的表面齐平；

在所述栅氧化层和场氧化层的表面形成场板；

分别在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区，以形成所述半导体器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成有体区和漂移区的硅片表面形成镂空的阻挡层，镂空区域与所述漂移区中待形成第一硅槽区域对应；所述阻挡层包括第一氧化层和第一氮化硅层，所述第一氧化层设置在所述第一氮化硅层与硅片之间，包括：

依次在形成有体区和漂移区的硅片表面形成第一氧化层和第一氮化硅层；

将所述漂移区中待形成第一硅槽区域表面的第一氧化层和第一氮化硅层去除，剩余的第一氧化层和第一氮化硅层构成镂空的阻挡层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述阻挡层悬空端与所述悬空端下方的第二氧化层之间形成氮化硅区，包括：

在所述第二氧化层的表面形成第二氮化硅层；

对所述第二氮化硅层进行刻蚀，仅保留所述阻挡层悬空端与所述悬空端下方的第二氧化层之间的第二氮化硅层，形成氮化硅区。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅槽侧壁和底面围成的截面为梯形，所述硅槽底面的尺寸小于硅槽开口的尺寸。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在将所述漂移区中待形成第一硅槽区域表面的第一氧化层和第一氮化硅层去除之前，还包括：

在所述第一氮化硅层的表面涂覆光刻胶，形成胶层；

对所述胶层进行曝光显影处理，以去除所述漂移区中待形成第一硅槽区域对应位置处的光刻胶；

在将所述漂移区中待形成第一硅槽区域表面的第一氧化层和第一氮化硅层去除之后，还包括：

将所述第一氮化硅层表面的胶层去除。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅槽侧壁与所述第一氧化层的接触点与所述第一氧化层悬空端面的距离为0.1微米至0.5微米。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅槽的深度为2000埃至4000埃。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅槽侧壁与所述第一氧化层之间的夹角为30°至60°。

9.一种半导体器件，其特征在于，根据如权利要求1至8任一所述方法制造，所述半导体器件包括：设置有体区和漂移区的硅片，所述体区中设置有源区，所述漂移区设置有场氧化层和漏区，所述场氧化层的侧壁为斜面；

所述硅片的表面中除场氧化层表面之外的其余部分设置有栅氧化层，所述栅氧化层的表面与所述场氧化层的表面齐平；

所述栅氧化层和场氧化层的表面设置有场板。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述场氧化层的侧壁与所述栅氧化层表面之间的夹角为30°至60°。